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TK040N65Z超结650 V MOSFET

TK040N65Z超结650 V MOSFET

东芝TK040N65Z高效DC-DC变换器/开关电压调节器

Image of Toshiba's TK040N65Z Superjunction 650 V MOSFET东芝电子‘TK040N65Z系列下一代650 V功率MOSFET适用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)电源调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。

DTMOS VI系列中的第一个设备是TK 040N65Z,它是一个650 V的装置,支持连续漏电流(I)。D)脉冲时最高可达57 A和228 A(i达普).

该装置提供极低的漏极源电阻R。DS(ON)0.04Ω(0.033ΩTyp.)这减少了电力应用的损失。由于设计中电容降低,本发明适用于现代高速电源。

由于关键性能指标/优点图(FOM)-R的减少,供电效率得到了提高。DS(ON)X qGD..TK 040N65Z显示这一重要指标比以前的DTMOS IV-H器件提高了40%,这表明在2.5kW的PFC电路中,电源效率显著提高了0.36%。

特点和效益应用
  • 低RDS(ON)×qGD允许开关电源提高效率。

  • 数据中心(服务器电源)

  • 光伏发电机用功率调节器

  • 不间断电力系统


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