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TCK401G高输入驱动芯片和N沟道SSM6K513NU MOSFET

东芝的TCK401G和SSM6K513NU组件的组合适用于可穿戴设备和附件等移动和消费应用程序。

Image of Toshiba Semiconductor and Storage's TCK401G High Input Driver IC and N-Channel SSM6K513NU MOSFET东芝TCK401G驱动芯片是一种具有高达28V输入电压的有源高N沟道MOSFET驱动器,适用于快速充电和其它需要高电流电源的应用。TCK401G驱动芯片包括各种内置功能,如过电压保护、励磁涌流减少和自动输出放电。这些功能被安置在一个行业领先的小型WCSP6E封装中,尺寸为0.8毫米x 1.2毫米x 0.55毫米(类型)。

此驱动IC与N沟道SSM6K513NU MOSFET最佳匹配,该器件采用创新的U-MOSIX-H沟道金属氧化物半导体(MOS)工艺,具有行业领先的低阻(R)。DS(ON))6.5mΩ。这有助于减少热传导损失比东芝的传统产品约40%。这个MOS被安置在UDFN6B(SOT-1220)封装中,它测量一个小的2毫米x2毫米x 0.75毫米。

使用东芝TCK401G和SSM6K513NU组件可以为电源电路创建一个高效率的负载开关,因为它们具有最大的电压额定值和R。DS(ON)适用于这类应用。这两种产品的结合适用于移动和消费应用,例如可穿戴设备和附件,特别是那些使用USBType-C™的应用程序,因为它使得能够在很小的空间内建立一个可容纳100 W级电源电路的负载开关成为可能。

USB-C型


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