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700 V CoolMOS™ P7 功率晶体管

700 V CoolMOS™ P7 功率晶体管

Infineon 的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFE T 采用 TO-247 4 引脚封装,具有不对称引线

Infineon Technologies 的 600 V CoolMOS P7 功率晶体管图Infineon 丰富的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET 产品系列现在包括标准 TO-247 4 引脚封装的改进版本。TO-247 4 引脚具有非对称引线,其关键引线之间的爬电距离增加了0.54 mm,可实现更平滑的波峰焊接并降低板良率损失。用作栅极驱动电压基准电位的源极(开尔文连接)的上额外连接消除了源极电感上的电压降影响,从而实现更快的开关瞬变,最终显着提高效率。这样可以实现更高的 MOSFET R DS(on) 利用率并节省 BOM 成本。CoolMOS P7 是 Infineon 的最佳平衡技术,能够在易用性和最高能效之间实现优化平衡。

TO-247 4 引脚概念(TO-247与TO-247 4 引脚)

Infineon Technologies 的 600 V CoolMOS P7 功率晶体管图

Infineon Technologies 的 600 V CoolMOS P7 功率晶体管图

  • 由 CGS 放电来触发 MOSFET 的 Re-turnon

  • 效率损失

  • 上述模拟导致 130μJ E on 损失

  • 由第 4 引脚确定清洁波形

  • 导通损耗减少 >2 倍

  • 使用 TO-247 4 引脚的上述模拟使得损耗减少 Ë on = 63μJ 的一半

优势特性
  • 适用于硬开关和软开关(PFC 和 LLC)

  • 通过低振铃趋势和使用 PFC 和 PWM 级来实现易用性和快速设计

  • 由于低开关和传导损耗,简化了热管理

  • 由于 > 2 kV ESD 保护,制造质量更高

  • 通过使用封装更小的产品实现更高的功率密度解决方案

  • 适用于各种应用和功率范围

  • 降低寄生源电感对栅极电路的影响,实现更快的开关操作和更高的效率

  • 利用开尔文源效率的优势,可以使用更高的 MOSFET RDS(on) 并降低 BOM 成本

  • 爬电距离满足 5000米 高度要求

  • 更容易由客户设计

  • 不对称引线可简化波峰焊接,并提高电路板良率损失

  • 出色的换向稳健性

  • 效率和易用性之间的优化平衡

  • 显着降低开关和传导损耗

  • 所有产品均具有出色的 ESD 稳定性> 2 kV (HBM)

  • 媲美竞争对手的更优 RDS(on) / 封装,得益于低 RDS(on) x A(小于 1 Ω x mm2

  • 大型产品组合,提供粒度 RDS(on) 选择,以满足各种不同的工业和消费类应用的要求

  • 第 4 引脚(开尔文源)

  • 增加高压引脚之间的爬电距离

  • 门信号优化

  • 不对称引线会增加了关键引脚的距离

应用
  • 电信

  • 服务器

  • 太阳能

  • 工业


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