采用 MIPI 2.0 的 SP4T 射频开关
更新时间：2019-06-14
采用 MIPI 2.0 的 SP4T 射频开关
Infineon Technologies 采用 MIPI 2.0 的 SP4T 射频开关是 LTE 和 WCDMA 多模手机的完美解决方案
Infineon 采用 MIPI 2.0 的 SP4T 射频开关基于 Infineon 的专有技术，具有出色的 RF 性能。超低插损有助于客户实现高系统灵敏度；LTE 发射功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。SP4F 射频开关具有无直流 RF 端口；只有在外部施加直流电压时，才需要 RF 端口的外部隔直电容。它具有片上 MIPI RFFE 2.0 控制器，完全兼容行业标准。SP4F 射频开关具有外部 USID_SEL 引脚，每个 MIPI RFFE 总线允许两个器件。
特性和优势
LTE TX 功率处理能力
用于 LTE 和 LAA 应用的 0.1 GHz 至 6.0 GHz 覆盖范围
无需去耦电容（除非在射频线上施加直流电）
小巧的外形尺寸 (1.15 mm x 1.55 mm)，便于集成
超低插损：41 频段为 0.3 dB，LTE U/LAA 为 0.85 dB
PCB 和成本节省
完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
USID 的选择引脚允许每个 MIPI RFFE 总线使用两个器件
针对高频和低频应用进行了优化
USID 的选择引脚增加了 RF FE 架构的灵活性
框图
应用
移动设备
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