价格(含税)
- 全部产品
- >
- 电子元器件
- >
- 分立半导体产品
- >
- 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- >
- FDD8424H
以上图片仅供参考
数据手册
FDD8424H
原装正品
原厂代理
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
样品价： 售价请咨询客服
批量价：批量采购请咨询获取优惠价
所属分类：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
封装规格：
TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
购买数量：
PCS
库存(17322)
按整包装：
卷带（每卷带2500
PCS）
合计：￥0
批量咨询
放入物料篮
服务保障
-
签订合同 -
1元开专票 -
提供样品 -
最快2小时发货 -
技术支持
物料信息
- 物料型号 ：FDD8424H
- 品牌 ：ON Semiconductor
- 封装规格 ：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
- 无铅情况 ：达标
- 起订量 ：1
- 整包装数量 ：2,500(PCS)
物料行情
价格行情：
稳定持平
库存状态：
供应充裕
选型参考
生命周期：
新款料
市场情况：
常用料
可替代物料
| 替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 功率 - 最大值 | FET 类型 | 漏源电压（Vdss） | 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | FET 功能 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 本产品 | |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FDD8424H | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | TO-252-4L | 1.3W | N 和 P 沟道 | 40V | 9A，6.5A | 24 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | 1000pF @ 20V | 逻辑电平门 | |
| 替换产品 |  |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FDD8424H_F085 | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | TO-252-4L | 1.3W | N 和 P 沟道 | 40V | 9A，6.5A | 24 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | 1000pF @ 20V | 逻辑电平门 | |
| 替换产品 | |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FDD8424H-F085A | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | TO-252-4L | 1.3W | N 和 P 沟道 | 40V | 9A，6.5A | 24 毫欧 @ 9A，10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 10V | 1000pF @ 20V | 逻辑电平门 |
>>
- 品牌
- 型号
物料详情
规格参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商器件封装 | TO-252-4L |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 9A，6.5A |
| 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1000pF @ 20V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
规格书
