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数据手册
QJD1210010
原装正品
原厂代理
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装规格:
模块
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :QJD1210010
- 品牌 :Powerex Inc.
- 封装规格 :模块
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :1(PCS)
物料行情
价格行情:
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生命周期:
新款料
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市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | 模块 |
供应商器件封装 | 模块 |
功率 - 最大值 | 1080W |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 100A(Tc) |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 25 毫欧 @ 100A,20V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 10mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 500nC @ 20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 10200pF @ 800V |
FET 功能 | 碳化硅 (SiC) |