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NVMFS5C442NAFT3G
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原厂代理
MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN
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所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
8-PowerTDFN,5 引线
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物料信息
- 物料型号 :NVMFS5C442NAFT3G
- 品牌 :ON Semiconductor
- 封装规格 :8-PowerTDFN,5 引线
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :5,000(PCS)
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替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 功率耗散(最大值) | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | FET 功能 | |
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本产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
NVMFS5C442NAFT3G | MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN | 8-PowerTDFN,5 引线 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5 引线 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 3.7W(Ta), 83W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 29A(Ta), 140A(Tc) | 10V | 2.3 毫欧 @ 50A,10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2100pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
NTMFS5C442NT1G | T6 40V MOSFET | 8-PowerTDFN,5 引线 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5 引线 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 3.7W(Ta), 83W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 29A(Ta), 140A(Tc) | 10V | 2.3 毫欧 @ 50A,10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2100pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
NVMFS5C442NAFT1G | MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN | 8-PowerTDFN,5 引线 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5 引线 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 3.7W(Ta), 83W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 29A(Ta), 140A(Tc) | 10V | 2.3 毫欧 @ 50A,10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2100pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
NTMFS5C442NT3G | MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN | 8-PowerTDFN,5 引线 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5 引线 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 3.7W(Ta), 83W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 29A(Ta), 140A(Tc) | 10V | 2.3 毫欧 @ 50A,10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2100pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
NVMFS5C442NWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN | 8-PowerTDFN,5 引线 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5 引线 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 3.7W(Ta), 83W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 29A(Ta), 140A(Tc) | 10V | 2.3 毫欧 @ 50A,10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | ±20V | 2100pF @ 25V | - |
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物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN,5 引线 |
供应商器件封装 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
功率耗散(最大值) | 3.7W(Ta), 83W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 29A(Ta), 140A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 2.3 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 32nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2100pF @ 25V |
FET 功能 | - |