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数据手册
FQI6N50TU
原装正品
原厂代理
MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
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所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :FQI6N50TU
- 品牌 :ON Semiconductor
- 封装规格 :TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :1,000(PCS)
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生命周期:
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市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | I2PAK(TO-262) |
功率耗散(最大值) | 3.13W(Ta),130W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 5.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 1.3 欧姆 @ 2.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 22nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 790pF @ 25V |
FET 功能 | - |