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数据手册
FQPF44N08T
原装正品
原厂代理
MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F
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所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-220-3 整包
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :FQPF44N08T
- 品牌 :ON Semiconductor
- 封装规格 :TO-220-3 整包
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :50(PCS)
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常用料
试型料
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定制料
可替代物料
替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 功率耗散(最大值) | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | FET 功能 | |
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本产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FQPF44N08T | MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F | TO-220-3 整包 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220-3 整包 | TO-220F | 41W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 80V | 25A(Tc) | 10V | 34 毫欧 @ 12.5A,10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±25V | 1430pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FQPF44N08 | MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F | TO-220-3 整包 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220-3 整包 | TO-220F | 41W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 80V | 25A(Tc) | 10V | 34 毫欧 @ 12.5A,10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | ±25V | 1430pF @ 25V | - |
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- 品牌
- 型号
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率耗散(最大值) | 41W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 80V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 25A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 34 毫欧 @ 12.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 50nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1430pF @ 25V |
FET 功能 | - |