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数据手册
AUIRFS4115TRL
原装正品
原厂代理
MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK
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所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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物料信息
- 物料型号 :AUIRFS4115TRL
- 品牌 :Infineon
- 封装规格 :TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :800
- 整包装数量 :800(PCS)
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可替代物料
替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 功率耗散(最大值) | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | FET 功能 | |
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本产品 |
英飞凌 / Infineon Infineon |
AUIRFS4115TRL | MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | D2PAK | 375W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 150V | 99A(Tc) | 10V | 12.1 毫欧 @ 62A,10V | 5V @ 250µA | 120nC @ 10V | ±20V | 5270pF @ 50V | - | ||
替换产品 |
英飞凌 / Infineon Infineon |
AUIRFS4115 | MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | D2PAK | 375W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 150V | 99A(Tc) | 10V | 12.1 毫欧 @ 62A,10V | 5V @ 250µA | 120nC @ 10V | ±20V | 5270pF @ 50V | - |
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- 品牌
- 型号
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率耗散(最大值) | 375W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 99A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 12.1 毫欧 @ 62A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 120nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5270pF @ 50V |
FET 功能 | - |