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数据手册
IRF640NPBF
原装正品
原厂代理
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
样品价: 售价请咨询客服
批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-220-3
购买数量:
PCS
库存(20000)
按整包装:
管件(每管件50
PCS)
合计:¥0
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :IRF640NPBF
- 品牌 :Infineon
- 封装规格 :TO-220-3
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :50(PCS)
物料行情
价格行情:
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选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
可替代物料
替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 功率耗散(最大值) | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | |
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本产品 |
英飞凌 / Infineon Infineon |
IRF640NPBF | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | TO-220-3 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220AB | 150W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 200V | 18A(Tc) | 10V | 150 毫欧 @ 11A,10V | 4V @ 250µA | 67nC @ 10V | ±20V | 1160pF @ 25V | ||
替换产品 |
英飞凌 / Infineon Infineon |
64-0007 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | TO-220-3 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220AB | 150W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 200V | 18A(Tc) | 10V | 150 毫欧 @ 11A,10V | 4V @ 250µA | 67nC @ 10V | ±20V | 1160pF @ 25V |
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- 品牌
- 型号
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率耗散(最大值) | 150W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 150 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 67nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1160pF @ 25V |
规格书