价格(含税)
- 全部产品
- >
- 电子元器件
- >
- 分立半导体产品
- >
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单
- >
- FQA11N90C-F109
以上图片仅供参考
数据手册
FQA11N90C-F109
原装正品
原厂代理
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
样品价: 售价请咨询客服
批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-3P-3,SC-65-3
购买数量:
PCS
库存(5321)
按整包装:
管件(每管件450
PCS)
合计:¥0
批量咨询
放入物料篮
服务保障
-
签订合同 -
1元开专票 -
提供样品 -
最快2小时发货 -
技术支持
物料信息
- 物料型号 :FQA11N90C-F109
- 品牌 :ON Semiconductor
- 封装规格 :TO-3P-3,SC-65-3
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :450(PCS)
物料行情
价格行情:
稳定持平
持续下跌
持续上涨
库存状态:
供应充裕
供应紧张
补货缺货
选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
可替代物料
替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 功率耗散(最大值) | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | FET 功能 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
本产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FQA11N90C-F109 | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | TO-3P-3,SC-65-3 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-3P-3,SC-65-3 | TO-3P | 300W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 900V | 11A(Tc) | 10V | 1.1 欧姆 @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 80nC @ 10V | ±30V | 3290pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FQA11N90C | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | TO-3P-3,SC-65-3 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-3P-3,SC-65-3 | TO-3P | 300W(Tc) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 900V | 11A(Tc) | 10V | 1.1 欧姆 @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 80nC @ 10V | ±30V | 3290pF @ 25V | - |
>>
- 品牌
- 型号
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 900V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 1.1 欧姆 @ 5.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 80nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3290pF @ 25V |
FET 功能 | - |