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STH3N150-2 原装正品 原厂代理
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2

价格(含税)

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所属分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
购买数量: PCS 库存(5000)
按整包装: 卷带(每卷带1000 PCS)
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ST / 意法半导体

STMicroelectronics

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物料信息
  • 物料型号 :STH3N150-2
  • 品牌 :STMicroelectronics
  • 封装规格 :TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
  • 无铅情况 :达标
  • 起订量 :1
  • 整包装数量 :1,000(PCS)
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新款料 长期稳定料 淘汰料 停产料

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常用料 试型料 偏门料 定制料
物料详情
规格参数
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
供应商器件封装 H²PAK
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 9 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 29.3nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 939pF @ 25V
FET 功能 -
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