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数据手册
ZVN4206GTA
原装正品
原厂代理
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
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批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-261-4,TO-261AA
购买数量:
件/PCS
库存(17000)
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合计:¥0
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :ZVN4206GTA
- 品牌 :Diodes Incorporated
- 封装规格 :TO-261-4,TO-261AA
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1000
- 整包装数量 :1,000(PCS)
物料行情
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长期稳定料
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市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
可替代物料
替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 功率耗散(最大值) | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | FET 功能 | |
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本产品 |
美台 / Diodes Diodes Incorporated |
ZVN4206GTA | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | TO-261-4,TO-261AA | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 | 2W(Ta) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1A(Ta) | 5V,10V | 1 欧姆 @ 1.5A,10V | 3V @ 1mA | ±20V | 100pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
美台 / Diodes Diodes Incorporated |
ZVN4206GVTA | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | TO-261-4,TO-261AA | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 | 2W(Ta) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1A(Ta) | 5V,10V | 1 欧姆 @ 1.5A,10V | 3V @ 1mA | ±20V | 100pF @ 25V | - | ||
替换产品 |
美台 / Diodes Diodes Incorporated |
ZVN4206GTC | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | TO-261-4,TO-261AA | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 | 2W(Ta) | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1A(Ta) | 5V,10V | 1 欧姆 @ 1.5A,10V | 3V @ 1mA | ±20V | 100pF @ 25V | - |
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- 品牌
- 型号
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 1 欧姆 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 100pF @ 25V |
FET 功能 | - |