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数据手册
TPH1R204PL,L1Q
原装正品
原厂代理
MOSFET N-CH 40V 150A
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批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
8-PowerVDFN
购买数量:
PCS
库存(4000)
按整包装:
卷带(每卷带5000
PCS)
合计:¥0
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服务保障
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :TPH1R204PL,L1Q
- 品牌 :Toshiba
- 封装规格 :8-PowerVDFN
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :5,000(PCS)
物料行情
价格行情:
稳定持平
持续下跌
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库存状态:
供应充裕
供应紧张
补货缺货
选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | 8-SOP Advance(5x5) |
功率耗散(最大值) | 960mW(Ta), 132W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 150A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 1.24 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 500µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 74nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 7200pF @ 20V |
FET 功能 | - |