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数据手册
FGL60N100BNTD
原装正品
原厂代理
IGBT 1000V 60A 180W TO264
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批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
封装规格:
TO-264-3,TO-264AA
购买数量:
PCS
库存(750)
按整包装:
管件(每管件375
PCS)
合计:¥0
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :FGL60N100BNTD
- 品牌 :ON Semiconductor
- 封装规格 :TO-264-3,TO-264AA
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :375(PCS)
物料行情
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常用料
试型料
偏门料
定制料
可替代物料
替换性 | 图片 | 品牌 | 型号 | 描述 | 封装 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 供应商器件封装 | 功率 - 最大值 | 测试条件 | 反向恢复时间(trr) | IGBT 类型 | 输入类型 | 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 开关能量 | 栅极电荷 | 25°C 时 Td(开/关)值 | 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | |
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本产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FGL60N100BNTD | IGBT 1000V 60A 180W TO264 | TO-264-3,TO-264AA | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-264-3,TO-264AA | 60A | 1000V | TO-264-3 | 180W | 600V,60A,51 欧姆,15V | 1.2µs | NPT 和沟道 | 标准 | 120A | - | 275nC | 140ns/630ns | 2.9V @ 15V,60A | ||
替换产品 |
安森美 / ON ON Semiconductor |
FGL60N100BNTDTU | IGBT 1000V 60A 180W TO264 | TO-264-3,TO-264AA | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-264-3,TO-264AA | 60A | 1000V | TO-264-3 | 180W | 600V,60A,51 欧姆,15V | 1.2µs | NPT 和沟道 | 标准 | 120A | - | 275nC | 140ns/630ns | - |
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- 品牌
- 型号
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 60A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1000V |
供应商器件封装 | TO-264-3 |
功率 - 最大值 | 180W |
测试条件 | 600V,60A,51 欧姆,15V |
反向恢复时间(trr) | 1.2µs |
IGBT 类型 | NPT 和沟道 |
输入类型 | 标准 |
脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 120A |
开关能量 | - |
栅极电荷 | 275nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 140ns/630ns |
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | 2.9V @ 15V,60A |