AO34xx系列N通道和P通道MOSFET
更新时间：2018-10-25
AO34xx系列N通道和P通道MOSFET
阿尔法和欧米茄半导体公司的AO34xx系列沟槽技术增强模式场效应晶体管
阿尔法和欧米茄半导体公司AO34xx系列MOSFET使用先进的沟槽技术提供优秀的R。DS(ON)在宽栅驱动范围内，AO34xx系列工作在1.5V到12V的宽栅驱动范围内，还提供了高达6.5 A@+25°C的连续漏电流。这些MOSFET结极宽，存储温度范围为-55°C~+150°C，最大功耗可达1.5W，适合负载切换和PWM应用。AO34xx系列采用低档SOT-23封装类型.
特征
宽栅极驱动范围1.5V至12V
连续漏电流高达6.5 A@+25°C
结及贮存温度范围为-55°C至+150°C
最大功耗可达1.5W
SOT-23软件包提供
应用
负载切换
PWM应用
