采用 TO-220 封装的 100 W 射频功率晶体管
更新时间：2019-01-04
采用 TO-220 封装的 100 W 射频功率晶体管
NXP 射频 LDMOS 晶体管采用行业标准封装类型，提供多种引脚选项，简化了生产制造
NXP MRF101AN 和 MRF101BN 100 W 射频功率晶体管设计用于 VHF/UHF 通信、VHF 电视广播、航空航天应用以及工业、科学和医疗应用。这些器件非常坚固，具有高达 250 MHz 的高性能。
LDMOS 技术现在可用于流行的 TO-220 功率封装的这些射频晶体管，使客户能够利用完善的装配工艺。这些晶体管提供非常紧凑的 1.8 MHz 至 250 MHz 参考电路，可供重复使用，从而节省大量成本并缩短产品上市时间。
特性
额定功率 100 W（连续波）
1.8 MHz 至 250 MHz
50 V LDMOS
无与伦比的输入和输出
1.1°C/W 热阻
极高坚固性：处理 65:1 VSWR
保证至少在 2033 年之前可供货
标准 TO-220 包塑封装提供低成本、灵活的安装选项
参考电路共享相同的 PCB 布局，从而可以在频率上重复使用设计
镜像引脚配置支持推挽设计
应用
工业、科技和医疗 (ISM)
激光发生
等离子蚀刻
粒子加速器
MRI 和其它医疗应用
工业加热、焊接和干燥
广播
电台广播
VHF 电视广播
移动无线电
VHF 基站
HF 和 VHF 通信
开关模式电源
