标准栅驱动器优化的TrenchFET功率MOSFET
更新时间：2019-08-14
标准栅驱动器优化的TrenchFET功率MOSFET
Vishay的60 V MOSFET提高了Powerpak 1212-8s封装的效率和功率密度
维沙伊氏60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET是业界第一个为标准栅极驱动器优化的MOSFET，其最大导通电阻在10V时可降至4mΩ，由3.3mm Powerpak1212-8S封装而成。为了提高开关拓扑的效率和功率密度，Vishay SilicixSiSS22DN具有低Q特性。开放源码软件和门充电22.5数控。
特征
最大导通电阻在10V时降至4mΩ，使导通损耗最小。
低Q开放源码软件在34.2 nc和22.5 nc的栅极电荷中，降低了开关的功率损失。
供应紧凑3.3毫米由3.3毫米Powerpak 1212-8s包
100%RG-和UIS测试，符合RoHS，无卤素
应用
AC/DC和DC/DC拓扑的同步整流
DC/DC变换器的一次侧开关，降压变换器中的半桥MOSFET功率级，以及电信和服务器电源的OR-ing功能。
电动工具和工业设备中的电机驱动控制和电路保护
电池管理模块中的电池保护和充电
