SiC肖特基势垒二极管
更新时间：2019-04-30
SiC肖特基势垒二极管
Rohm的超低开关损耗二极管可在各种电流额定值和封装中使用。
罗姆提供各种电流额定值和封装碳化硅肖特基势垒二极管。一些特点包括低正向电压降，高峰值电流(IFSM)额定值，和低泄漏。每个封装有一个或两个二极管，一些AEC-Q 101合格型号可供汽车使用。反向恢复时间(T)RR)几乎是恒定的，不管温度(主要是由于器件电容)。它提供比硅快速恢复二极管(SiFRDS)更低的开关损耗。
特征
超快恢复时间
最高结温：175℃
封装设备额定电压650 V或1200 V
裸模可达1700 V
提供香料和热模型
2A、4A、5A、6A、8A、10A、12A、15A、20A、30A和40A的连续正向电流额定值
第三代低VF
工作温度范围：-40℃至+175℃
应用
功率因数校正电路
二次整流器
汽车电子
